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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专利 [83]
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2008 [1]
2003 [2]
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一种生长二氧化硅薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓东
;
季安
;
邢波
;
杨富华
Adobe PDF(485Kb)
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浏览/下载:1198/194
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提交时间:2009/06/11
用于泵浦固体激光器的大功率激光二极管列阵泵浦腔
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-05-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
方高瞻
;
肖建伟
;
马骁宇
;
王晓薇
;
冯小明
;
刘斌
;
刘媛媛
Adobe PDF(307Kb)
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浏览/下载:1213/191
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提交时间:2009/06/11
形成镓砷/铝镓砷激光二极管的非吸收窗口的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-05-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
方高瞻
;
肖建伟
;
马骁宇
;
王晓薇
;
冯小明
;
刘斌
;
刘媛媛
Adobe PDF(314Kb)
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浏览/下载:1374/230
  |  
提交时间:2009/06/11
发光二极管封装结构
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102255034A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
杨华
;
卢鹏志
;
谢海忠
;
于飞
;
郑怀文
;
薛斌
;
伊晓燕
;
王军喜
;
王国宏
;
李晋闽
Adobe PDF(281Kb)
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浏览/下载:1412/231
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提交时间:2012/09/09
氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214743A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
郭恩卿
;
伊晓燕
;
汪炼成
;
孙波
;
王国宏
Adobe PDF(298Kb)
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浏览/下载:1375/234
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提交时间:2012/09/09
应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
张逸韵
;
汪炼成
;
郭恩卿
;
孙波
;
伊晓燕
;
王国宏
Adobe PDF(293Kb)
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浏览/下载:1905/355
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提交时间:2012/09/09
一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
李志聪
;
姚然
;
王兵
;
梁萌
;
李璟
;
王国宏
;
李晋闽
Adobe PDF(992Kb)
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浏览/下载:1886/302
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提交时间:2012/09/09
一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
王兵
;
李志聪
;
王国宏
;
闫发旺
;
姚然
;
王军喜
;
李晋闽
Adobe PDF(260Kb)
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浏览/下载:1451/259
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提交时间:2011/08/31
一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
李志聪
;
姚然
;
王兵
;
梁萌
;
李鸿渐
;
李盼盼
;
李璟
;
王国宏
;
李晋闽
Adobe PDF(1092Kb)
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浏览/下载:1583/306
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提交时间:2012/09/09
自支撑氮化镓衬底的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208340A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
孙波
;
伊晓燕
;
刘志强
;
汪炼成
;
郭恩卿
;
王国宏
Adobe PDF(219Kb)
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浏览/下载:1562/285
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提交时间:2012/09/09