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GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人:  汤宝;  周志强;  郝瑞亭;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人:  周志强;  郝瑞亭;  汤 宝;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma SS (Ma Shan-Shan);  Wang, BR (Wang Bao-Rui);  Sun BQ (Sun Bao-Quan);  Wu DH (Wu Dong-Hai);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Ma, SS, Chinese Acad Sci, SKLSM, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bqsun@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang HL (Wang Hai-Li);  Xiong YH (Xiong Yong-Hua);  Huang SS (Huang She-Song);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  He ZH (He Zhen-Hong);  Dou XM (Dou Xiu-Ming);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Wang, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma SS (Ma Shan-Shan);  Dou XM (Dou Xiu-Ming);  Chang XY (Chang Xiu-Ying);  Sun BQ (Sun Bao-Quan);  Xiong YH (Xiong Yong-Hua);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Ma, SS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bqsun@semi.ac.cn
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