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1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  方志丹;  倪海桥;  韩勤;  龚政;  张石勇;  佟存柱;  彭红玲;  吴东海;  赵欢;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu XG (Wu X. G.);  Xu LJ (Xu L. J.);  Zheng HZ (Zheng H. Z.);  Wu, XG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang W (Yang W.);  Chang K (Chang Kai);  Wu XG (Wu X. G.);  Zheng HZ (Zheng H. Z.);  Peeters FM (Peeters F. M.);  Chang, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: kchang@red.semi.ac.cn
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