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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [11]
作者
尹志岗 [3]
江德生 [1]
张加勇 [1]
张书明 [1]
文献类型
专利 [6]
期刊论文 [5]
发表日期
2006 [11]
语种
中文 [6]
英语 [5]
出处
APPLIED SU... [1]
JOURNAL OF... [1]
JOURNAL OF... [1]
PHYSICAL R... [1]
SOLID STAT... [1]
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在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘力锋
;
陈诺夫
;
尹志岗
;
杨霏
;
柴春林
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浏览/下载:1451/202
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提交时间:2009/06/11
一种制备金属铪薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
Adobe PDF(1622Kb)
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浏览/下载:1081/117
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提交时间:2009/06/11
一种制备金属锆薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
Adobe PDF(1501Kb)
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浏览/下载:1198/153
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提交时间:2009/06/11
一种制备三元高K栅介质材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李艳丽
;
陈诺夫
;
刘立峰
;
尹志刚
;
杨菲
;
柴春林
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浏览/下载:1062/169
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提交时间:2009/06/11
利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
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浏览/下载:1084/148
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提交时间:2009/06/11
利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang CL
;
He HT
;
Ding L
;
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Wang JN
;
Ge WK
;
Ge, WK, Hong Kong Univ Sci & Technol, Dept Phys, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. E-mail: phweikun@ust.hk
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浏览/下载:1017/331
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu LF
;
Chen NF
;
Wang Y
;
Yin ZG
;
Yang F
;
Chai CL
;
Zhang X
;
Liu, LF, Peking Univ, Inst Microelect, Beijing 100871, Peoples R China. E-mail: lfliu@ime.pku.edu.cn
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浏览/下载:1041/267
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun Q
;
Zhang JC
;
Huang Y
;
Chen J
;
Wang JF
;
Wang H
;
Li DY
;
Wang YT
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Zhou CL
;
Guo LP
;
Jia QJ
;
Sun, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: qsun@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1251/348
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu LF
;
Chen NF
;
Wang Y
;
Zhang X
;
Yin ZG
;
Yang F
;
Chai CL
;
Liu, LF, Peking Univ, Inst Microelect, Novel Devices Grp, Beijing 100871, Peoples R China. E-mail: lfliu@ime.pku.edu.cn
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提交时间:2010/04/11