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延长栅型 GaAs HEMT生物传感器在心肌肌钙蛋白检测中的研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  徐梦轲
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Haining Chong ;   Zhewei Wang ;   Chaonan Chen ;   Zemin Xu ;   Ke Wu ;   Lan Wu ;   Bo Xu ;   Hui Ye
Adobe PDF(2309Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:99/0  |  提交时间:2019/11/15
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang CH (Zhang Cheng-hua);  Zhang K (Zhang Ke);  Xu HX (Xu Hong-xing);  Song Q (Song Qi);  Yang YT (Yang Yong-tao);  Yu RH (Yu Ren-hong);  Xu D (Xu Dong);  Cheng XN (Cheng Xiao-nong)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, Chenghua;  Li, Mingshuang;  Xu, Dong;  Chen, Yongfang;  Liu, Yuanling;  Zhang, Ke
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一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人:  米俊萍;  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  李士颜;  潘教青
Adobe PDF(785Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:703/72  |  提交时间:2014/12/25
一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
发明人:  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(435Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:725/71  |  提交时间:2014/12/25
在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
发明人:  李士颜;  周旭亮;  于鸿艳;  李梦珂;  米俊萍;  潘教青
Adobe PDF(488Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:681/93  |  提交时间:2014/11/17
硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人:  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(1141Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:616/53  |  提交时间:2014/12/25
基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人:  李梦珂;  周旭亮;  于红艳;  李士颜;  米俊萍;  潘教青
Adobe PDF(431Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:712/84  |  提交时间:2014/12/25
一种硅基微腔激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(599Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:648/71  |  提交时间:2014/11/05