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高能电子衍射图像处理系统及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙永伟;  侯识华;  宋国峰;  杨晓杰;  叶晓军
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利用密封石英玻璃管实现不同材料晶片键合的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨国华;  孙永伟;  何国荣;  肖雪芳
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降低磷离子注入（0001）取向的4H-碳化硅电阻率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高欣;  孙国胜;  李晋闽;  王雷;  赵万顺
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma WQ (Ma W. Q.);  Sun YW (Sun Y. W.);  Yang XJ (Yang X. J.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Chen LH (Chen L. H.);  Ma, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wqma@semi.ac.cn
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Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2005丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Pittsburgh, PA, SEP 18-23, 2005
作者:  Sun, GS (Sun, Guosheng);  Ning, J (Ning, Jin);  Gong, QC (Gong, Quancheng);  Gao, X (Gao, Xin);  Wang, L (Wang, Lei);  Liu, XF (Liu, Xingfang);  Zeng, YP (Zeng, Yiping);  Li, JM (Li, Jinmin);  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Homoepitaxial Growth  Low-pressure Hot-wall Cvd  Structural And Optical Characteristics  Intentional Doping  Schottky Barrier Diodes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song JF (Song Junfeng);  Zaccaria RP (Zaccaria Remo Proietti);  Yu MB (Yu M. B.);  Sun XW (Sun X. W.);  Song, JF, Inst Microelect, 11 Sci Pk Rd,Sci Pk 2, Singapore 117685, Singapore. E-mail: songjf@ime.a-star.edu.sg;  EXWSun@ntu.edu.sg
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XR (Yang X. R.);  Xu B (Xu B.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Jin P (Jin P.);  Liang P (Liang P.);  Hu Y (Hu Y.);  Sun H (Sun H.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Liu FL (Liu F. L.);  Yang, XR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yangxr@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun GS (Sun G. S.);  Liu XF (Liu X. F.);  Gong QC (Gong Q. C.);  Wang L (Wang L.);  Zhao WS (Zhao W. S.);  Li JY (Li J. Y.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Li JM (Li J. M.);  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: gshsun@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang EX;  Sun JY;  Chen J;  Chen M;  Zhang ZX;  Li N;  Zhang GQ;  Wang X;  Zhang, EX, Chinese Acad Sci, Ion Beam Lab, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Shanghai 20050, Peoples R China. E-mail: yqfzhexia@mail.sim.ac.cn
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Research on nitrogen implantation energy dependence of the properties of SIMON materials 会议论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, Pacific Grove, CA, SEP 05-10, 2004
作者:  Zhang EX;  Sun JY;  Chen J;  Chen M;  Zhang ZX;  Li N;  Zhang GQ;  Wang X;  Zhang, EX, Chinese Acad Sci, Ion Beam Lab, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Shanghai 20050, Peoples R China. 电子邮箱地址: yqfzhexia@mail.sim.ac.cn
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Nitrogen