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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [8]
作者
刘兴昉 [3]
汪宇 [1]
尹志岗 [1]
张汉 [1]
张兴旺 [1]
文献类型
专利 [3]
期刊论文 [3]
会议论文 [2]
发表日期
2009 [8]
语种
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中文 [3]
出处
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WOS被引频次降序
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碳化硅射频微电子机械系统滤波器的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人:
赵永梅
;
宁 瑾
;
孙国胜
;
王 亮
;
刘兴昉
;
赵万顺
;
王 雷
;
李晋闽
;
曾一平
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浏览/下载:1496/272
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提交时间:2010/03/19
氧化硅上制备低阻碳化硅的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:
赵永梅
;
孙国胜
;
宁 瑾
;
王 亮
;
刘兴昉
;
赵万顺
;
王 雷
;
李晋闽
;
曾一平
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浏览/下载:1533/262
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提交时间:2010/03/19
图形衬底上生长碳化硅厚膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:
赵永梅
;
孙国胜
;
刘兴昉
;
王 亮
;
王 雷
;
赵万顺
;
李晋闽
;
曾一平
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提交时间:2010/03/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu L
;
Chen NF
;
Bai YM
;
Cui M
;
Zhang H
;
Gao FB
;
Yin ZG
;
Zhang XW
;
Liu L Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lliu@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu L
;
Chen NF
;
Wang Y
;
Bai YM
;
Cui M
;
Gao FB
;
Liu L Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lliu@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
In-situ Doping
Boron
Aluminum
Memory Effects
Hot-wall Lpcvd
4h-sic
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
Buffer Layer
Lpcvd
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu, JQ (Liu, J. Q.)
;
Wang, JF (Wang, J. F.)
;
Qiu, YX (Qiu, Y. X.)
;
Guo, X (Guo, X.)
;
Huang, K (Huang, K.)
;
Zhang, YM (Zhang, Y. M.)
;
Hu, XJ (Hu, X. J.)
;
Xu, Y (Xu, Y.)
;
Xu, K (Xu, K.)
;
Huang, XH (Huang, X. H.)
;
Yang, H (Yang, H.)
;
Xu, K, Chinese Acad Sci, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Suzhou 215125, Peoples R China. 电子邮箱地址: kxu2006@sinano.ac.cn
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提交时间:2010/03/08