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High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE 会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS-2002, 743, BOSTON, MA, DEC 02-06, 2002
作者:  Wang JX;  Wang XL;  Sun DZ;  Li JM;  Zeng YP;  Hu GX;  Liu HX;  Lin LY;  Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  Ion-scattering Spectroscopy  Lattice Polarity  Single-crystals  Films  Polarization  Gan(0001)  Surfaces  Growth  Diodes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘斌;  方高瞻;  张敬明;  马骁宇;  肖建伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡国新;  王晓亮;  孙殿照;  王军喜;  刘宏新;  刘成海;  曾一平;  李晋闽;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘斌;  张敬明;  马骁宇;  肖建伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  刘宏新;  孙殿照;  曾一平;  李晋闽;  孔梅影;  林兰英;  刘新宇;  刘键;  钱鹤
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘斌;  张警明;  马骁宇;  肖建伟
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