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高温原位减薄硅基底的装置和方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘祥林;  杨少延;  焦春美
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δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  魏鸿源;  刘祥林;  张攀峰;  焦春美;  王占国
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在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  胡卫国;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林
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一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘祥林;  赵凤瑷;  焦春美;  董向芸;  张晓沛;  范海波;  魏宏源;  张攀峰;  王占国
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半导体激光器热沉管道 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-06-04
发明人:  王大拯;  王翠鸾;  仲莉;  韩淋;  崇峰;  史慧玲;  王冠;  胡理科;  刘素平;  马骁宇
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一种电荷泵锁相环电路 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-01-16, 公开日期: 2009-06-04
发明人:  刘斯琳;  倪卫宁;  石寅
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin, GQ;  Zeng, YP;  Wang, XL;  Liu, HX;  Lin, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lingq@semi.ac.cn
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Pockels effect in GaN/Al-x,Gal(1-x)N superlattice with different quantum structures - art. no. 69841G 会议论文
THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS,SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, SEP 25-28, 2007
作者:  Chen P;  Lib SP;  Tu XG;  Zuo YH;  Zhao L;  Chen SW;  Li JC;  Lin W;  Chen HY;  Liu DY;  Kang JY;  Yu YD;  Yu JZ;  Wang QM;  Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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Pockels Effect  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, XD;  Wang, WZ;  Gao, RX;  Zhao, JH;  Wen, JH;  Lin, WZ;  Lai, TS;  Lai, TS, Sun Yat Sen Univ, Dept Phys, State Key Lab Optoelect Mat & Technol, Guangzhou 510275, Guangdong, Peoples R China. 电子邮箱地址: stslts@mail.sysu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘晓东;  王玮竹;  高瑞鑫;  赵建华;  文锦辉;  林位株;  赖天树
Adobe PDF(440Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1000/346  |  提交时间：2010/11/23