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低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  江李;  林涛;  韦欣;  王国宏;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XD;  Xu ZY;  Sun Z;  Sun BQ;  Li GH;  Sou IK;  Ge WK;  Yang, XD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zyxu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma BS;  Su FH;  Ding K;  Li GH;  Zhang Y;  Mascarenhas A;  Xin HP;  Tu CW;  Ma, BS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Su FH;  Ma BS;  Ding K;  Li GH;  Chen W;  Su, FH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gu J;  Zhu MF;  Wang LJ;  Liu FZ;  Zhou BQ;  Zhou YQ;  Ding K;  Li GH;  Zhu, MF, Chinese Acad Sci, Grad Sch, Dept Phys, POB 4588, Beijing 100049, Peoples R China. 电子邮箱地址: mfzhu@gucas.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu FM;  Zhang LD;  Li GH;  Liu, FM, Beijing Univ Aeronaut & Astronaut, Sch Sci, Dept Phys, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fmliu@buaa.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng ZS;  Liu ZL;  Zhang GQ;  Li N;  Li GH;  Ma HZ;  Zhang EX;  Zhang ZX;  Wang X;  Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zszheng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li GH;  Chen Y;  Fang ZL;  Ma BS;  Su FH;  Ding K;  Li, GH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma BS;  Wang XD;  Luo JW;  Su FH;  Fang ZL;  Ding K;  Niu ZC;  Li GH;  Ma, BS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao Q;  Zhang HZ;  Xu XY;  Wang Z;  Xu J;  Yu DP;  Li GH;  Su FH;  Yu, DP, Peking Univ, Sch Phys, Electron Microscopy Lab, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: yudp@pku.edu.cn
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