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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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发表日期:2005
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WOS被引频次升序
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一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张南红
;
王晓亮
;
曾一平
;
肖红领
;
王军喜
;
刘宏新
;
李晋闽
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浏览/下载:1292/213
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提交时间:2009/06/11
生长高迁移率氮化镓外延膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
胡国新
;
王军喜
;
李建平
;
曾一平
;
李晋闽
Adobe PDF(445Kb)
  |  
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  |  
浏览/下载:1060/178
  |  
提交时间:2009/06/11
生长高阻氮化镓外延膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
胡国新
;
王军喜
;
冉军学
;
曾一平
;
李晋闽
Adobe PDF(362Kb)
  |  
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浏览/下载:1215/191
  |  
提交时间:2009/06/11
氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
胡国新
;
王军喜
;
曾一平
;
李晋闽
Adobe PDF(542Kb)
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浏览/下载:978/175
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提交时间:2009/06/11
基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
樊中朝
;
余金中
;
陈少武
;
王章涛
;
陈媛媛
;
李艳萍
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浏览/下载:1146/170
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提交时间:2009/06/11
高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李传波
;
毛容伟
;
左玉华
;
成步文
;
余金中
;
王启明
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浏览/下载:1100/183
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提交时间:2009/06/11
硅基高量子效率共振腔增强型探测器及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
毛容伟
;
滕学公
;
李传波
;
左玉华
;
罗丽萍
;
成步文
;
于金中
;
王启明
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浏览/下载:1411/202
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li RY
;
Wang ZG
;
Xu B
;
Jin P
;
Guo X
;
Chen M
;
Li, RY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ryli@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1126/456
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang CL
;
Wang ZG
;
Chen YH
;
Cui CX
;
Xu B
;
Jin P
;
Li RY
;
Zhang, CL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:945/221
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Jin GS
;
Li SS
;
Feng SL
;
Zheng HZ
;
Jin, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:894/289
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提交时间:2010/03/17