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气态束源炉瞬态开关控制真空装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-11-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  徐晓华;  徐应强;  张纬;  韩勤;  吴荣汉
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(GaAsSb-InGaAs)/GaAs 双层复合量子阱的分子束外延生长与器件应用 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  徐晓华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王海嵩;  杜国同;  许成栋;  宋俊峰;  唐君;  陈弘达;  刘宇;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡志华;  廖显伯;  刁宏伟;  孔光临;  曾湘波;  徐艳月
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  倪海桥;  徐晓华;  张纬;  徐应强;  牛智川;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  曾湘波;  廖显伯;  王博;  刁宏伟;  戴松涛;  向贤碧;  常秀兰;  徐艳月;  胡志华;  郝会颖;  孔光临
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