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| 硅纳米线的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 Inventors: 曾湘波; 廖显伯; 刁宏伟; 向贤碧; 孔光临; 徐艳月
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| 平板式电极结构 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-02-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 Inventors: 刁宏伟; 廖显伯; 曾湘波; 郝会颖; 徐艳月; 张世斌; 胡志华
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| 纳米非晶硅(na-Si:H)P-i-n太阳电池 期刊论文 太阳能学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 187-191 Authors: 胡志华; 廖显伯; 刁宏伟; 曾湘波; 徐艳月; 孔光临
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| VHF-PECVD法高速沉积氢化非晶/纳米晶相变阈硅薄膜及太阳能电池 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004 Authors: 徐艳月
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| 氢稀释对非晶硅碳(a-SiC:H)合金薄膜生长和光学特性的影响 期刊论文 中国科学. E辑,技术科学, 2004, 卷号: 34, 期号: 0, 页码: 5 Authors: 胡志华; 廖显伯; 刁宏伟; 孔光临; 曾湘波; 徐艳月
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| 等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼 期刊论文 物理学报, 2004, 卷号: 53, 期号: 12, 页码: 4410-4413 Authors: 曾湘波; 廖显伯; 王博 ; 刁宏伟; 戴松涛; 向贤碧; 常秀兰; 徐艳月; 胡志华; 郝会颖; 孔光临
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| 稳定、优质nc-Si/a-Si:H薄膜的研制和特性分析 期刊论文 物理学报, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1465-1468 Authors: 徐艳月; 孔光临; 张世斌; 胡志华; 曾湘波; 刁宏伟; 廖显伯
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| 纳米硅(nc-Si:H )/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池的数值模拟分析 期刊论文 物理学报, 2003, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 217-224 Authors: 胡志华; 廖显伯; 曾湘波; 徐艳月; 张世斌; 刁宏伟; 孔光临
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| 氢化非晶硅氧薄膜微结构 期刊论文 中国科学. A辑,数学, 2002, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 531-537 Authors: 王永谦; 廖显伯; 刁宏伟; 程文超; 李国华; 陈长勇; 张世斌; 徐艳月; 陈维德; 孔光临
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| 快速热退火和氢等离子体处理对富硅氧化硅薄膜微结构与发光的影响 期刊论文 物理学报, 2002, 卷号: 51, 期号: 7, 页码: 1564-1570 Authors: 王永谦; 陈维德; 陈长勇; 刁宏伟; 张世斌; 徐艳月; 孔光临; 廖显伯
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