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采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马龙;  杨富华;  王良臣;  黄应龙
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基于微分负阻器件与CMOS电路的纳米流水线乘法器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马龙;  王良臣;  杨富华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马龙;  张杨;  戴扬;  杨富华;  曾一平;  王良臣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张欣;  陈伟;  刘宇;  王欣;  谢亮;  祝宁华;  冯博学
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  许兴胜;  王春霞;  杜伟;  赵致民;  胡海洋;  宋倩;  鲁琳;  阚强;  陈弘达
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  许兴胜;  王春霞;  宋倩;  杜伟;  胡海洋;  赵致民;  鲁琳;  阚强;  陈弘达
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张欣;  张韬;  陈伟;  刘宇;  王欣;  谢亮;  祝宁华;  冯博学
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王立彬;  陈宇;  刘志强;  伊晓燕;  马龙;  潘领峰;  王良臣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王立彬;  刘志强;  陈宇;  伊晓燕;  马龙;  潘领峰;  王良臣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  梁萌;  王国宏;  范曼宁;  郭德博;  刘广义;  马龙;  王良臣;  李晋闽
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