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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gai, YQ;  Yao, B;  Wei, ZP;  Li, YF;  Lu, YM;  Shen, DZ;  Zhang, JY;  Zhao, DX;  Fan, XW;  Li, JB;  Xia, JB;  Yao, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yaobin196226@yahoo.com.cn;  jbli@semi.ac.cn
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自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-06-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆大成;  王晓晖;  姚文卿;  刘祥林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陆大成;  韩培德;  刘祥林;  王晓晖;  汪度;  袁海荣;  王良臣;  徐萍;  姚文卿;  高翠华;  刘焕章;  葛永才;  郑东
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  牛智川;  周增圻;  林耀望;  李新峰;  张益;  胡雄伟;  吕振东;  袁之良;  徐仲英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Zuquan;  Liu Fengqin;  Deng Junzhuo;  Yao Jun;  Xun Kun;  Lu Sihua;  Wu Sicheng;  Jiang Mingluo;  Gu Zhengnan;  Zhou Xihuang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yao Jun;  Liu Fengqin;  Deng Junzhuo;  Xun Kun;  Wang Zuquan;  Lu Sihua;  Wu Sicheng;  Jiang Mingluo;  Gu Zhengnan;  Zhou Xihuang
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