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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵有文; 苗杉杉; 董志远; 吕小红; 邓爱红; 杨俊; 王博
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| 一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵建华; 邓加军; 毕京峰; 牛智川; 杨富华; 吴晓光; 郑厚植
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| 硅基光子集成的器件及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-11-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄昌俊; 邓晓清; 成步文; 王红杰; 杨沁清; 余金中; 胡雄伟; 王启明
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| 采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 雷红兵; 王红杰; 胡雄伟; 邓晓清; 王启明
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| Impact of wide bandgap p-type nc-Si on the performance of a-Si solar cells 会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (1-2), SINGAPORE, SINGAPORE, JUL 01-06, 2001
作者: Deng X; Wang W; Han S; Povolny H; Du W; Liao X; Xiang X; Liao X Chinese Acad Sci Inst Semicond State Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Deng X; Wang W; Han S; Povolny H; Du W; Liao X; Xiang X; Liao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Lab Surface Phys,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 邓晓清; 杨沁清; 王红杰; 胡雄伟; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 邓晓清; 杨沁清; 王红杰; 胡雄伟; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 邓晖; 陈弘达; 梁琨; 杜云; 唐君; 黄永箴; 潘钟; 马骁宇; 吴荣汉; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 雷红兵; 王红杰; 邓晓清; 杨沁清; 胡雄伟; 王启明; 廖左升; 杨基南
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