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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵雷;  陈涌海;  左玉华;  王海宁;  时文华
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Current-induced migration of surface adatoms during GaN growth by molecular beam epitaxy 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Zheng LX;  Xie MH;  Xu SJ;  Cheung SH;  Tong SY;  Xie MH Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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Surface Processes  Molecular Beam Epitaxy  Nitrides  Semiconducting Gallium Compounds  Gan(0001) Surfaces  Reconstructions  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng LX;  Xie MH;  Xu SJ;  Cheung SH;  Tong SY;  Xie MH,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
Adobe PDF(193Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：967/314  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙小玲;  杨辉;  王玉田;  李国华;  郑联喜;  李建斌;  徐大鹏;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu XF(刘学锋);  Li JP(李建平);  Sun DZ(孙殿照)
Adobe PDF(300Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：848/207  |  提交时间：2010/11/23