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| 基于带电氧空位漂移的HfO2基薄膜负电容机理 学位论文
工程硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 董昊
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| 蓝宝石衬底上六方氮化硼薄膜的生长及其光电性能研究 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 王高凯
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| 太赫兹超材料光学生物传感器设计和应用研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 崔宁
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| 深耗尽型金刚石MISFET的模拟仿真研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 徐鹏飞
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| 4H-SiC基AlN栅介质原子层沉积生长研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 陈俊
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Weijiang Ni ; Xiaoliang Wang ; Miaolin Xu; Quan Wang ; Chun Feng; Honglin Xiao; Lijuan Jiang; Wei Li
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jun Chen ; Bowen Lv ; Feng Zhang ; Yinshu Wang ; Xingfang Liu ; Guoguo Yan ; Zhanwei Shen ; Zhengxin Wen ; Lei Wang ; Wanshun Zhao ; Guosheng Sun ; Chao Liu ; Yiping Zeng
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| 4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 申占伟
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4h-sic 场效应晶体管 No退火 Umosfet 欧姆接触 槽角圆弧化 米勒电容 |
| 亚稳四方相铁酸铋与半导体的外延集成 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 朱经斌
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| Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 孔祥挺
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Ingaas沟道 高迁移率 Mosfet Ge/si衬底 |
