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一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235334.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  牛智川;  倪海桥;  王海莉;  贺继方;  朱岩;  李密峰;  王鹏飞;  黄社松;  熊永华
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一种高极化度自旋注入与检测结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136535A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-07-27, 2012-08-29
发明人:  袁思芃
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在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  赵建华;  王思亮;  俞学哲;  王海龙
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GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  徐建星;  査国伟;  张立春;  魏思航;  倪海桥;  贺振宏;  牛智川
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一种半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  杨成奥;  张宇;  廖永平;  魏思航;  徐应强;  牛智川
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