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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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发表日期:1999
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WOS被引频次升序
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High power continuous-wave operation of self-organized In(Ga)As/GaAs quantum dot lasers
会议论文
1999 IEEE HONG KONG ELECTRON DEVICES MEETING, PROCEEDINGS, SHATIN, HONG KONG, 36337
作者:
Wang ZG
;
Liang JB
;
Qian G
;
Xu B
;
Wang ZG Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Effect of rapid thermal annealing on the Raman spectrum of Si0.33Ge0.67/Si (100) alloy
会议论文
NONDESTRUCTIVE CHARACTERIZATION OF MATERIALS IX, 497, SYDNEY, AUSTRALIA, JUN 28-JUL 02, 1999
作者:
Liu JP
;
Kong MY
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Liu JP Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Strain-shift Coefficients
Si1-xgex
Silicon
Phonons
Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Peng CS
;
Chen H
;
Zhao ZY
;
Li JH
;
Dai DY
;
Huang Q
;
Zhou JM
;
Zhang YH
;
Tung CH
;
Sheng TT
;
Wang J
;
Peng CS Chinese Acad Sci Inst Phys POB 603 Beijing 100080 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Threading Dislocation
Si(100)
Layers
Films
Electrical properties of GaN deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using NH3 cracked on the growing surface
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Li XB
;
Wang XL
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Zhang JP Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Stress
Growth
Strain-induced morphological evolution and preferential interdiffusion in SiGe epitaxial film on Si(100) during high-temperature annealing
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Liu JP
;
Kong MY
;
Liu XF
;
Li JP
;
Huang DD
;
Li LX
;
Sun DZ
;
Kong MY Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Stranski-krastanow Growth
Quantum Dots
Relaxation
Inas
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wu J
;
Xu B
;
Li HX
;
Mo QW
;
Wang ZG
;
Zhao XM
;
Wu D
;
Wu J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu CC
;
Wang HM
;
Li YX
;
Wang QL
;
Ren BY
;
Xu YS
;
Que DL
;
Liu CC,Zhejiang Univ,Natl Key Lab Silicon Mat,Hangzhou 310027,Peoples R China.
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浏览/下载:921/292
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang W
;
Li GH
;
Zhu ZM
;
Chen Y
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Zhou W
;
Sun ZZ
;
Zhang W,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cui SF
;
Li CR
;
Mai ZH
;
Xiong JW
;
Zhao ZX
;
Wang YT
;
Hatton PD
;
Cui SF,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Beijing 100080,Peoples R China.
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浏览/下载:925/291
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Han PD
;
( )
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提交时间:2010/08/12