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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 熊莹; 张仁平; 杨富华
 Adobe PDF(531Kb) |  收藏 | 浏览/下载：3233/1392 | 提交时间：2012/07/17 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Du, Y.D.; Cao, H.Z.; Yan, W.; Han, W.H.; Liu, Y.; Dong, X.Z.; Zhang, Y.B.; Jin, F.; Zhao, Z.S.; Yang, F.H.; Duan, X.M.; Han, W.H.(weihua@semi.ac.cn)
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| SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人: 杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 杨富华
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| 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157361A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-08-17, 2012-09-07
发明人: 颜伟; 杜彦东; 韩伟华; 杨富华
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| 一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-06
发明人: 李小明; 韩伟华; 张严波; 颜伟; 杜彦东; 陈燕坤; 杨富华
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| 一种微光学陀螺Sagnac效应光波导芯片及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-10
发明人: 杨添舒; 刘雯; 时彦朋; 马静; 张端; 郑婉华; 王晓东; 杨富华
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| 半导体薄膜太阳能电池前后表面的陷光结构制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人: 时彦朋; 王晓东; 刘雯; 杨添舒; 马静; 杨富华
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| 具有减反射膜的太阳能电池元件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-30
发明人: 杨添舒; 刘雯; 时彦朋; 马静; 王晓东; 杨富华
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| 半导体薄膜太阳能电池前后表面的混合陷光结构制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人: 时彦朋; 王晓东; 刘雯; 杨添舒; 杨富华
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| 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 王进泽; 杨香; 颜伟; 刘胜北; 赵继聪; 何志; 王晓东; 杨富华
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