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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体材料科学... [8]
作者
文献类型
专利 [4]
期刊论文 [4]
发表日期
2021 [1]
2013 [3]
语种
英语 [3]
出处
Chinese Ph... [2]
APPLIED PH... [1]
Chinese Ph... [1]
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收录类别
SCI [4]
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SEMI OpenIR
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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期刊论文
作者:
Li, Kun
;
Ren, Fei
;
Liu, Shu-Man
;
Liu, Jun-Qi
;
Zhuo, Ning
;
Zhu, Yi-Xuan
;
Zhai, Shen-Qiang
;
Zhang, Jin-Chuan
;
Wang, Li-Jun
;
Li, Yuan
;
Liu, Feng-Qi
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提交时间:2022/05/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
LV Xue-Qin, JIN Peng, CHEN Hong-Mei, WU Yan-Hua, WANG Fei-Fei, WANG Zhan-Guo
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浏览/下载:317/62
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提交时间:2014/03/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei Heng, Jin Peng, Luo Shuai, Ji Hai-Ming, Yang Tao, Li Xin-Kun, Wu Jian, An Qi, Wu Yan-Hua, Chen Hong-Mei, Wang Fei-Fei, Wu Ju, Wang Zhan-Guo
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浏览/下载:543/219
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提交时间:2014/03/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wu Jian, Jin Peng, Li Xin-Kun, Wei Heng, Wu Yan-Hua, Wang Fei-Fei, Chen Hong-Mei, Wu Ju, Wang Zhan-Guo
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浏览/下载:358/88
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提交时间:2014/03/18
基于磁光光子晶体的4×4二进制发生器
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-03
发明人:
郑婉华
;
江斌
;
王宇飞
;
张冶金
;
冯志刚
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浏览/下载:783/48
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提交时间:2014/10/31
掩模板、套刻对准方法及制备脊形波导激光器的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:
吴艳华
;
王飞飞
;
胡发杰
;
金鹏
;
王占国
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提交时间:2016/09/12
半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:
项若飞
;
汪连山
;
赵桂娟
;
金东东
;
王建霞
;
李辉杰
;
张恒
;
冯玉霞
;
焦春美
;
魏鸿源
;
杨少延
;
王占国
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浏览/下载:813/1
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提交时间:2016/09/12
曲率渐变的弯曲波导量子点超辐射发光管及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:
王飞飞
;
吴艳华
;
胡发杰
;
金鹏
;
王占国
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提交时间:2016/08/30