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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中科院半导体照明研发... [8]
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专题:中科院半导体照明研发中心
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
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一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
王兵
;
李志聪
;
王国宏
;
闫发旺
;
姚然
;
王军喜
;
李晋闽
Adobe PDF(260Kb)
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浏览/下载:1588/259
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提交时间:2011/08/31
GaN基发光二极管的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:
黄亚军
;
王莉
;
樊中朝
;
刘志强
;
伊晓燕
Adobe PDF(405Kb)
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浏览/下载:1015/110
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提交时间:2014/12/25
蓝宝石图形衬底的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
发明人:
段瑞飞
;
季安
;
伊晓燕
;
王莉
;
樊中朝
;
郭金霞
;
潘岭峰
;
黄亚军
;
赵冀
;
李镇
Adobe PDF(1025Kb)
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浏览/下载:1047/96
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提交时间:2014/11/17
半导体发光器件或模组在线多功能测试系统及方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-23
发明人:
赵丽霞
;
周子超
;
杨华
;
王军喜
;
李晋闽
Adobe PDF(1375Kb)
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浏览/下载:866/53
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提交时间:2014/11/17
利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人:
梁萌
;
李鸿渐
;
姚然
;
李志聪
;
李盼盼
;
王兵
;
李璟
;
伊晓燕
;
王军喜
;
王国宏
;
李晋闽
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浏览/下载:812/100
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提交时间:2014/10/31
在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人:
梁萌
;
李鸿渐
;
姚然
;
李志聪
;
李盼盼
;
王兵
;
李璟
;
伊晓燕
;
王军喜
;
王国宏
;
李晋闽
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浏览/下载:877/115
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提交时间:2014/10/31
氮化物LED外延结构的生长方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:
梁萌
;
李鸿渐
;
姚然
;
李志聪
;
李盼盼
;
王兵
;
李璟
;
伊晓燕
;
王军喜
;
王国宏
;
李晋闽
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浏览/下载:792/114
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提交时间:2014/10/31
一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-15
发明人:
李盼盼
;
李鸿渐
;
张逸韵
;
李志聪
;
梁萌
;
李璟
;
王国宏
Adobe PDF(565Kb)
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提交时间:2014/10/29