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无权访问的条目 学位论文
作者:  龚萍
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VGF-Ge单晶衬底完整性、复合缺陷及其对多结电池性能的影响 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  曹可慰
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  单晶  垂直梯度凝固  多结电池  热施主  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵杰;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李彦波;  刘超;  张杨;  赵杰;  曾一平
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p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240351.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张小宾;  王晓亮;  肖红领;  杨翠柏;  冉军学;  王翠梅;  李晋闽
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在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128376.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  魏萌;  王晓亮;  潘旭;  李建平;  刘宏新;  王翠梅;  肖红领
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