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| 在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12 发明人: 谈笑天; 郑厚植; 刘 剑; 杨富华 Adobe PDF(316Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1795/274  |  提交时间:2010/08/12 |
| 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12 发明人: 王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹 峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川 Adobe PDF(412Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1950/296  |  提交时间:2010/08/12 |
| 采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-16, 2010-08-12 发明人: 鞠研玲; 杨晓红; 韩 勤 Adobe PDF(302Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1770/299  |  提交时间:2010/08/12 |
| 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12 发明人: 占 荣; 惠 峰; 赵有文 Adobe PDF(347Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2043/292  |  提交时间:2010/08/12 |
| 砷化镓基波长可调谐垂直腔型半导体光电器件的研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009 作者: 秦龙 Adobe PDF(3780Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1208/36  |  提交时间:2009/04/13 |
| 砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵超; 徐波; 陈涌海; 金鹏; 王占国 Adobe PDF(520Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1462/225  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1401/190  |  提交时间:2009/06/11 |
| 砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 高宏玲; 曾一平; 段瑞飞; 王宝强; 朱战平; 崔利杰 Adobe PDF(687Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1589/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(752Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1409/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(753Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1341/168  |  提交时间:2009/06/11 |