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Homoepitaxial growth and device characteristics of SiC on Si-face (0001) 6H-SiC 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Li JM;  Sun GS;  Zhu SR;  Wang L;  Luo MC;  Zhang FF;  Lin LY;  Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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X-ray Diffraction  Molecular Beam Epitaxy  Semiconducting Silicon Compounds  Low-temperature Growth  Films  
Gas source molecular beam epitaxy and thermal stability of Si1-xGex/Si superlattice materials 会议论文
REVISTA MEXICANA DE FISICA, 44, OAXACA, MEXICO, JAN 11-16, 1998
作者:  Zou LF;  Acosta-Ortiz SE;  Zou LX;  Regalado LE;  Sun DZ;  Wang ZG;  Zou LF Ctr Invest Opt AC Unidad Aguascalientes Juan Montoro 207Zona Ctr Aguascalientes 20000 Ags Mexico. 电子邮箱地址: lfzou@ags.ciateq.mx
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Strain Relaxation  Heterostructures