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AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  赵勇兵
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Algan/gan Hfet  特征导通电阻  击穿电压  增强型器件  阈值电压  
GaN 基LEDs 可靠性及失效机理的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  符佳佳
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Gan基leds  可靠性评估  老化行为  失效分析  
Si基溅射法AlN缓冲层薄膜制备研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  张硕
Adobe PDF(3543Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:979/197  |  提交时间:2016/06/12
Aln  溅射法  Si(100)衬底  氧污染  椭偏测量  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hongjian Li;  Panpan Li;  Junjie Kang;  Jiianfeng Ding;  Jun Ma;  Yiyun Zhang;  Xiaoyan Yi;  Guohong Wang
Adobe PDF(1326Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:273/1  |  提交时间:2017/03/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhiqiang Liu;  Xiaoyan Yi;  Zhiguo Yu;  Gongdong Yuan;  Yang Liu;  Junxi Wang;  Jinmin Li;  Na Lu;  Ian Ferguson;  Yong Zhang
Adobe PDF(952Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:432/4  |  提交时间:2017/03/16