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高压大功率碳化硅IGBT器件研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
Authors:  温正欣
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InGaN/InAlN/GaN 异质结模拟研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
Authors:  魏林程
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AlGaN/GaN电力电子器件的设计、制备与可靠性分析 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
Authors:  梁亚楠
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无权访问的条目 学位论文
Authors:  李喜林
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(In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
Authors:  闫俊达
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氮化镓  异质结构  二维空穴气  二维电子气  高电子迁移率晶体管  
含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
Authors:  李巍
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氮化镓  铟铝氮  高电子迁移率晶体管  二维电子气  电流崩塌  
AlGaN/GaN HEMT 功率开关器件漏电与陷阱效应研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
Authors:  郝美兰
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无权访问的条目 学位论文
Authors:  黄宇亮
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AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  赵勇兵
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Algan/gan Hfet  特征导通电阻  击穿电压  增强型器件  阈值电压  
GaN HEMT材料的MOCVD生长及新结构研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
Authors:  崔磊
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