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集成天线的氮化镓基高电子迁移率晶体管太赫兹波探测器研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
Authors:  张博文
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AlGaN/GaN电力电子器件的设计、制备与可靠性分析 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
Authors:  梁亚楠
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无权访问的条目 学位论文
Authors:  李喜林
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无权访问的条目 学位论文
Authors:  赵璐
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Investigation of surface traps-induced current collapse phenomenon in AlGaN/ GaN high electron mobility transistors with schottky gate structures 期刊论文
Journal of Physics D: Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 34, 页码: 345102
Authors:  Huang Huolin;  Sun Zhonghao;  Cao Yaqing;  Li Feiyu;  Zhang Feng;  Wen Zhengxin;  Zhang Zifeng;  Liang Yung C.;  Hu Lizhong
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(In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
Authors:  闫俊达
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氮化镓  异质结构  二维空穴气  二维电子气  高电子迁移率晶体管  
含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
Authors:  李巍
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氮化镓  铟铝氮  高电子迁移率晶体管  二维电子气  电流崩塌  
无权访问的条目 学位论文
Authors:  刘波亭
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GaN基HEMT器件材料的生长技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
Authors:  吉泽生
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图形化硅衬底氮化物外延及半极性发光器件 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
Authors:  张璐
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Si  Gan  湿法腐蚀  Mocvd  半极性面  多量子阱  正装结构led