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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 杨冠卿; 张世著; 徐波; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(491Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:452/4  |  提交时间:2017/05/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: L.J.Qiao; S.Liang; L.S.Han; J.J.Xu; H.L.Zhu; W.Wang Adobe PDF(1117Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1168/2  |  提交时间:2016/03/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Li HJ (Li, Huijie); Liu XL (Liu, Xianglin); Wang JX (Wang, Jianxia); Jin DD (Jin, Dongdong); Zhang H (Zhang, Heng); Yang SY (Yang, Shaoyan); Liu SM (Liu, Shuman); Mao W (Mao, Wei); Hao Y (Hao, Yue); Zhu QS (Zhu, QinSheng); Wang ZG (Wang, Zhanguo) Adobe PDF(774Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:890/212  |  提交时间:2013/03/26 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhu HL (Zhu Hongliang); Xu XD (Xu Xiaodong); Wang H (Wang Huan); Kong DH (Kong Duanhua); Liang S (Liang Song); Zhao LJ (Zhao Lingjuan); Wang W (Wang Wei); Zhu, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: Zhuhl@semi.ac.cn; xdxu@semi.ac.cn; wanghuan21@semi.ac.cn; kdh@semi.ac.cn; liangsong@semi.ac.cn; ljzhao@red.semi.ac.cn; wwang@red.semi.ac.cn Adobe PDF(438Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1375/511  |  提交时间:2010/04/22 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Liang S (Liang S.); Zhu HL (Zhu H. L.); Kong DH (Kong D. H.); Wang W (Wang W.); Liang, S, Chinese AcadSci, InstSemicond, Key Lab Semicond Mat, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangsong@red.semi.ac.cn Adobe PDF(469Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1041/313  |  提交时间:2010/11/14 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Liu JM (Liu J. M.); Liu XL (Liu X. L.); Xu XQ (Xu X. Q.); Wang J (Wang J.); Li CM (Li C. M.); Wei HY (Wei H. Y.); Yang SY (Yang S. Y.); Zhu QS (Zhu Q. S.); Fan YM (Fan Y. M.); Zhang XW (Zhang X. W.); Wang ZG (Wang Z. G.) Adobe PDF(278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1313/348  |  提交时间:2010/08/17 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 肖虎; 孟宪权; 朱振华; 金鹏; 刘峰奇; 王占国 Adobe PDF(4447Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1225/119  |  提交时间:2011/08/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 王振华; 杨安丽; 刘祥林; 魏鸿源; 焦春美; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(733Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1175/259  |  提交时间:2011/08/16 |
| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(400Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1524/243  |  提交时间:2011/08/31 |
| 电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237090.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 汪洋; 赵玲娟; 朱洪亮; 王圩 Adobe PDF(463Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1254/208  |  提交时间:2011/08/31 |