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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体材料科... [12]
作者
魏鸿源 [5]
宋华平 [4]
贾彩虹 [2]
周晓龙 [1]
焦春美 [1]
文献类型
期刊论文 [8]
专利 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [2]
2010 [7]
语种
英语 [9]
中文 [3]
出处
APPLIED PH... [3]
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Physica St... [1]
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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期刊论文
作者:
Wang J
;
Liu XL
;
Yang AL
;
Zheng GL
;
Yang SY
;
Wei HY
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Liu, XL, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. xlliu@semi.ac.cn
;
why@semi.ac.cn
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang, J
;
Liu, XL
;
Yang, AL
;
Zheng, GL
;
Yang, SY
;
Wei, HY
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
;
Liu, XL (reprint author), Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China,xlliu@semi.ac.cn
;
why@semi.ac.cn
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提交时间:2012/02/06
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Guo Y
;
Liu XL
;
Song HP
;
Yang AL
;
Xu XQ
;
Zheng GL
;
Wei HY
;
Yang SY
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Guo, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Tingshua E Rd 35,POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.E-mail Address: guoyan@semi.ac.cn
;
xlliu@semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/22
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Guo Y (Guo Yan)
;
Liu XL (Liu Xiang-Lin)
;
Song HP (Song Hua-Ping)
;
Yang AL (Yang An-Li)
;
Zheng GL (Zheng Gao-Lin)
;
Wei HY (Wei Hong-Yuan)
;
Yang SY (Yang Shao-Yan)
;
Zhu QS (Zhu Qin-Sheng)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
;
Guo, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: guoyan@semi.ac.cn
;
xlliu@semi.ac.cn
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提交时间:2010/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Jia CH
;
Chen YH
;
Zhou XL
;
Yang AL
;
Zheng GL
;
Liu
;
XL
;
Yang SY
;
Wang ZG
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/06/04
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zheng GL (Zheng Gaolin)
;
Wang J (Wang Jun)
;
Liu XL (Liu Xianglin)
;
Yang AL (Yang Anli)
;
Song HP (Song Huaping)
;
Guo Y (Guo Yan)
;
Wei HY (Wei Hongyuan)
;
Jiao CM (Jiao Chunmei)
;
Yang SY (Yang Shaoyan)
;
Zhu QS (Zhu Qinsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Zheng, GL, 35 Tsinghua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhenggl@semi.ac.cn
;
xlliu@semi.ac.cn
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提交时间:2010/08/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zheng GL
;
Yang AL
;
Wei HY
;
Liu XL
;
Song HP
;
Guo
;
Y
;
Jia CH
;
Jiao CM
;
Yang SY
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Zheng, GL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: zhenggl@semi.ac.cn
;
xlliu@semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/04
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Song HP (Song H. P.)
;
Zheng GL (Zheng G. L.)
;
Yang AL (Yang A. L.)
;
Guo Y (Guo Y.)
;
Wei HY (Wei H. Y.)
;
Li CM (Li C. M.)
;
Yang SY (Yang S. Y.)
;
Liu XL (Liu X. L.)
;
Zhu QS (Zhu Q. S.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
;
Song, HP, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: songhp@semi.ac.cn
;
xlliu@semi.ac.cn
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提交时间:2010/11/27
Dependence of transport properties in tunnel junction on boron doping
会议论文
Physica Status Solidi C-Current Topics in Solid State Physics VOL 7 NO 3-4, 7 (3-4): 1109-1111 2010, Utrecht, NETHERLANDS, AUG 23-28, 2009
作者:
Shi MJ
;
Zeng XB
;
Liu SY
;
Peng WB
;
Xiao HB
;
Liao XB
;
Wang ZG
;
Kong GL
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提交时间:2011/07/14
利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
郑高林
;
杨安丽
;
宋华平
;
郭严
;
魏鸿源
;
刘祥林
;
朱勤生
;
杨少延
;
王占国
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提交时间:2011/08/31