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中国科学院半导体研究所机构知识库
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语种:英语
文献类型:会议论文
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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The difference of Si doping efficiency in GaN and AlGaN in GaN-based HBT structure
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Ran, JX
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Li, JP
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Ran, JX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Aln
Impurities
Donor
Molecular beam epitaxial growth of GaN on 3c-SiC/Si(111) substrates using a thick AIN buffer layer
会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:
Gao, X
;
Li, JM
;
Sun, GS
;
Zhang, NH
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Gao, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Si(111)
Aln
MOCVD growth of high quality crack-free GaN on Si(III) substrates
会议论文
PROCEEDINGS OF THE SIXTH CHINESE OPTOELECTRONICS SYMPOSIUM, KOWLOON, PEOPLES R CHINA, SEP 12-14, 2003
作者:
Zhang BS
;
Zhu JJ
;
Wang YT
;
Yang H
;
Zhang BS Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Vapor-phase Epitaxy
Layers
Aln