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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者
韩培德 [12]
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Huang XH (Huang, Xiaohui)
;
Wang H (Wang, Huaibing)
;
Yin S (Yin, Song)
;
Chen XR (Chen, Xiaorong)
;
Chen W (Chen, Wei)
;
Yang H (Yang, Hui)
;
Wang, H, CAS, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Suzhou 215125, Peoples R China. 电子邮箱地址: hbwang2006@sinano.ac.cn
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浏览/下载:1025/428
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提交时间:2010/03/08
聚光太阳电池单元
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈诺夫
;
黄添懋
;
王晓晖
;
陈晨龙
;
吴金良
;
董毅
Adobe PDF(324Kb)
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浏览/下载:1314/187
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提交时间:2009/06/11
砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈诺夫
;
白一鸣
;
梁平
;
王晓晖
Adobe PDF(434Kb)
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浏览/下载:1276/194
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yin ZG (Yin Zhigang)
;
Chen NF (Chen Nuofu)
;
Dai RX (Dai Ruixuan)
;
Liu L (Liu Lei)
;
Zhang XW (Zhang Xingwang)
;
Wang XH (Wang Xiaohui)
;
Wu JL (Wu Jinliang)
;
Chai CL (Chai Chunlin)
;
Yin, ZG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhg@semi.ac.cn
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浏览/下载:1068/280
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提交时间:2010/03/29
一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
吴洁君
;
韩修训
;
李杰民
;
黎大兵
;
陆沅
;
王晓晖
Adobe PDF(620Kb)
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浏览/下载:1255/152
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提交时间:2009/06/11
聚光太阳电池的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈诺夫
;
白一鸣
;
王晓晖
;
梁平
;
陆大成
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浏览/下载:1469/201
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提交时间:2009/06/11
集成太阳电池的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈诺夫
;
白一鸣
;
王晓晖
;
陆大成
Adobe PDF(245Kb)
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浏览/下载:1173/187
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提交时间:2009/06/11
自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
吴洁君
;
黎大兵
;
陆沅
;
韩修训
;
李杰民
;
王晓辉
;
刘祥林
;
王占国
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浏览/下载:1839/185
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提交时间:2009/06/11
在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陆沅
;
刘祥林
;
陆大成
;
王晓晖
;
王占国
Adobe PDF(461Kb)
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浏览/下载:1477/212
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
吴洁君
;
韩修训
;
李杰民
;
黎大兵
;
魏宏远
;
康亭亭
;
王晓晖
;
刘祥林
;
王占国
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浏览/下载:1390/438
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提交时间:2010/11/23