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掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-11-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冯文;  潘教青;  周帆;  王宝军;  赵玲娟;  朱洪亮;  王圩
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碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  马志勇;  冉学军;  王翠敏;  肖红领;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding Y (Ding Ying);  Kan Q (Kan Qiang);  Wang JL (Wang Jun-ling);  Pan JQ (Pan Jiao-qing);  Zhou F (Zhou Fan);  Chen WX (Chen Wei-xi);  Wang W (Wang Wei);  Ding, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yingding@red.semi.ac.cn;  wy_9992000@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP (Liu Jun-Peng);  Qu SC (Qu Sheng-Chun);  Chen YH (Chen Yong-Hai);  Xu Y (Xu Ying);  Zeng XB (Zeng Xiang-Bo);  Liang LY (Liang Ling-Yan);  Wang ZJ (Wang Zhi-Jie);  Zhou HY (Zhou Hui-Ying);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qusc@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma ZY (Ma Zhi-Yong);  Wang XL (Wang Xiao-Liang);  Hu GX (Hu Guo-Xin);  Ran JX (Ran Jun-Xue);  Xiao HL (Xiao Hong-Ling);  Luo WJ (Luo Wei-Jun);  Tang J (Tang Jian);  Li JP (Li Jian-Ping);  Li JM (Li Jin-Min);  Ma, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: mazhiyong@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu LJ (Hu Liang-Jun);  Chen YH (Chen Yong-Hai);  Ye XL (Ye Xiao-Ling);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Hu, LJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangjun_hu@yahoo.com.cn
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