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1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  方志丹;  倪海桥;  韩勤;  龚政;  张石勇;  佟存柱;  彭红玲;  吴东海;  赵欢;  吴荣汉
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可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-05-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  佟存柱;  牛智川;  韩勤;  杜云;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han Q (Han Q.);  Niu ZC (Niu Z. C.);  Peng LH (Peng L. H.);  Ni HQ (Ni H. Q.);  Yang XH (Yang X. H.);  Du Y (Du Y.);  Zhao H (Zhao H.);  Wu RH (Wu R. H.);  Wang QM (Wang Q. M.);  Han, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: hanqin@red.semi.ac.cn
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