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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong HW;  Zhao YW;  Li JM;  Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE 会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS-2002, 743, BOSTON, MA, DEC 02-06, 2002
作者:  Wang JX;  Wang XL;  Sun DZ;  Li JM;  Zeng YP;  Hu GX;  Liu HX;  Lin LY;  Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  Ion-scattering Spectroscopy  Lattice Polarity  Single-crystals  Films  Polarization  Gan(0001)  Surfaces  Growth  Diodes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo MC;  Li JM;  Wang QM;  Sun GS;  Wang L;  Li GR;  Zeng YP;  Lin LY;  Luo MC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Semicond Mat Lab,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong HW;  Zhao YW;  Zeng YP;  Jiao JH;  Li JM;  Lin LY;  Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong HW;  Zhao YW;  Jiao JH;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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