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一种氮化物半导体器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆大成;  刘祥林;  袁海荣;  王晓晖
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变温的高阻半导体材料光电测试装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2001-08-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张砚华;  卢励吾;  樊志军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘文楷;  林世鸣;  武术;  朱家廉;  高俊华;  渠波;  陆建祖;  廖奇为;  邓晖;  陈弘达
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓晖;  刘祥林;  陆大成;  袁海荣;  韩培德;  汪度
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  闫华;  卢励吾;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  毛陆虹;  郭维廉;  陈弘达;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  袁海荣;  向贤碧;  陈庭金;  陆大成
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陆大成;  刘祥林;  韩培德;  王晓晖;  汪度;  袁海荣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  卢励吾;  张砚华;  K.K.Mak;  Ma Z H;  Wang J;  I.K.Sou;  Wei Kunge
Adobe PDF(348Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：914/251  |  提交时间：2010/11/23