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The growth and characterization of GaN grown on a gamma-Al2O3/(001) Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 会议论文
BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II, CHIBA, JAPAN, SEP 29-OCT 02, 1998
作者:  Wang LS;  Liu XL;  Zan YD;  Wang D;  Lu DC;  Wang ZG;  Wang LS Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Sapphire  
Room-temperature continuous-wave lasing from InAs GaAs quantum dot laser grown by molecular beam epitaxy 会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:  Gong Q;  Liang JB;  Xu B;  Wang ZG;  Gong Q Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Threshold  Operation  Layer  
Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing 会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:  Mo QW;  Fan TW;  Gong Q;  Wu J;  Wang ZG;  Bai YQ;  Zhang W;  Mo QW Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  Coherent Islands  Gaas  Growth  Dots  Dislocations  Temperature  Mechanisms  Si(001)  Ingaas  
The role of hydrogen in semi-insulating INP 会议论文
HYDROGEN IN SEMICONDUCTORS AND METALS, 513, SAN FRANCISCO, CA, APR 13-17, 1998
作者:  Han YJ;  Liu XL;  Jiao JH;  Qian JJ;  Chen YH;  Wang ZG;  Lin LY;  Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen W;  Wang ZG;  Lin LY;  Su MZ;  Chen W,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang LS;  Liu XL;  Zan YD;  Wang D;  Lu DC;  Wang ZG;  Wang YT;  Cheng LS;  Zhang Z;  Wang LS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: lswang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gong Q;  Liang JB;  Xu B;  Ding D;  Li HX;  Jiang C;  Zhou W;  Liu FQ;  Wang ZG;  Qiu XH;  Shang GY;  Bai CL;  Gong Q,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu FQ;  Wang ZG;  Wang GH;  Liu FQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li HX;  Wang ZG;  Liang JB;  Xu B;  Jiang C;  Gong Q;  Liu FQ;  Zhou W;  Li HX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li HX;  Wu J;  Xu B;  Liang JB;  Wang ZG;  Li HX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: hxli@red.semi.ac.cn
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