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低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈宇;  王良臣;  伊晓燕;  李艳
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采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  雷红兵;  王红杰;  胡雄伟;  邓晓清;  王启明
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一种改进非晶硅太阳电池性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010117751.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘石勇;  曾湘波;  彭文博;  肖海波;  姚文杰;  谢小兵;  王超;  王占国
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一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081986.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  彭银生;  徐波;  叶小玲;  王占国
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窄脊半导体器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2017-06-05
发明人:  杨冠卿;  梁平;  徐波;  陈涌海;  王占国
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