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Improvement of CMOS SOS devices characteristics by a modified solid phase epitaxy 会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:  Liu ZL;  He ZJ;  Yu F;  Nie JP;  Yu YH;  Liu ZL Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Sapphire Films  Silicon  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZM;  Feng SL;  Lu ZD;  Zhao Q;  Yang XP;  Chen ZG;  Xu ZY;  Zheng HZ;  Wang ZM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zou LF;  Acosta-Ortiz SE;  Zou LX;  Regalado LE;  Sun DZ;  Wang ZG;  Zou LF,Ctr Invest Opt AC,Unidad Aguascalientes,Juan Montoro 207,Zona Ctr,Aguascalientes 20000,Ags,Mexico.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xia JB;  Xia JB,China Ctr Adv Sci & Technol,World Lab,POB 8730,Beijing 100080,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JP;  Sun DZ;  Wang XL;  Li XB;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Zhang JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou HW;  Zeng YP;  Wang HM;  Dong JR;  Zhu ZP;  Pan L;  Kong MY;  Zhou HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo LW;  Shi JJ;  Cheng WQ;  Li YK;  Huang Q;  Zhou JM;  Guo LW,Chinese Acad Sci,Inst Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li GH;  Han HX;  Ding K;  Wang ZP;  Li GH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gu BY;  Sheng WD;  Wang J;  Gu BY,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao MS;  Dai ZX;  Li GH;  Wang RZ;  Jiang DS;  Zhao MS,Qufu Normal Univ,Laser Res Inst,Shandong 273165,Peoples R China. 电子邮箱地址: mszhao@ji-public.sd.cninfo.net
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