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| 4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 申占伟
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4h-sic 场效应晶体管 No退火 Umosfet 欧姆接触 槽角圆弧化 米勒电容 |
| 脉冲激光退火制备Ni/SiC欧姆接触 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 刘敏
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脉冲激光退火 Sic欧姆接触 数值模拟 接触特性 |
| 4H-SiC肖特基二极管的设计、研究与制备 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者: 刘胜北
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4h-sic 肖特基二极管 Jbs 沟槽型肖特基 欧姆接触 |
| 4H-SiC快速外延生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者: 刘斌
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4h-sic 碳化硅 快速外延生长 Fast Epitaxial Growth |
| 4H-SiC肖特基二极管的设计与研制及4H-SiC/SiO2界面研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者: 郑柳
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4h-sic 肖特基二极管 双阻终端扩展 欧姆接触 可靠性 Tmbs 4h-sic/sio2界面 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang ZG; Wang SJ; Zhang CL; Li JB ; Wang, ZG, Univ Elect Sci & Technol China. , Dept Appl Phys, Chengdu 610054, Peoples R China. zgwang@uestc.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang ZG; Xue SW; Li JB; Gao F
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun GS; Liu XF; Wu HL; Yan GG; Dong L; Zheng L; Zhao WS; Wang L; Zeng YP; Li XG; Wang ZG; Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. gshsun@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun GS (Sun Guo-Sheng); Liu XF (Liu Xing-Fang); Wang L (Wang Lei); Zhao WS (Zhao Wan-Shun); Yang T (Yang Ting); Wu HL (Wu Hai-Lei); Yan GG (Yan Guo-Guo); Zhao YM (Zhao Yong-Mei); Ning J (Ning Jin); Zeng YP (Zeng Yi-Ping); Li JM (Li Jin-Min)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang ZG; Li JB; Gao F; Weber WJ; Wang, ZG, Univ Elect Sci & Technol China, Dept Appl Phys, Chengdu 610054, Peoples R China. E-mail Address: zgwang@uestc.edu.cn
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