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中国科学院半导体研究所机构知识库
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期刊论文
作者:
Wang SR
;
Wang W
;
Zhu HL
;
Zhao LJ
;
Zhang RY
;
Zhou F
;
Shu HY
;
Wang RF
;
Wang, SR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang, SR
;
Zhu, HL
;
Wang, BJ
;
Liu, ZH
;
Ding, Y
;
Zhao, LJ
;
Zhou, F
;
Wang, W
;
Wang, SR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: shrw@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang, SR
;
Liu, ZH
;
Wang, W
;
Zhu, HL
;
Zhang, RY
;
Zhou, F
;
Wang, LF
;
Ding, Y
;
Wang, SR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: shrw@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang, SR
;
Wang, W
;
Liu, ZH
;
Zhu, HL
;
Zhang, RY
;
Zha, LJ
;
Zhou, F
;
Ding, Y
;
Wang, LF
;
Wang, SR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Optoelect Res & Dev, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
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期刊论文
作者:
Shang YC
;
Liu ZL
;
Wang SR
;
Shang YC,Chinese Acad Sci,Microelect R&D Ctr,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS, 389-3, TSUKUBA, JAPAN, OCT 28-NOV 02, 2001
作者:
Sun GS
;
Luo MC
;
Wang L
;
Zhu SR
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
;
Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
3c-sic
In-situ Doping
Low-pressure Cvd
Sapphire Substrate
Chemical-vapor-deposition
Competition Epitaxy
Studies of 6H-SiC devices
会议论文
CURRENT APPLIED PHYSICS, 2 (5), SEOUL, SOUTH KOREA, DEC 05-09, 2001
作者:
Wang SR
;
Liu ZL
;
Wang SR Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Sic
Schottky
Pn Junction Diodes
Mos Capacitor
Junction Diodes
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun GS
;
Luo MC
;
Wang L
;
Zhu SR
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
;
Sun GS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:888/235
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang SR
;
Liu ZL
;
Wang SR,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:930/299
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang SB
;
Kong GL
;
Wang YQ
;
Sheng SR
;
Liao XB
;
Zhang SB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Lab Surface Phys,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12