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生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  冉军学;  曾一平;  李晋闽
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掩埋有高反射率布拉格反射镜的基片键合方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  毛容伟;  滕学公;  王启明
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高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李传波;  毛容伟;  左玉华;  成步文;  余金中;  王启明
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硅基高量子效率共振腔增强型探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  毛容伟;  滕学公;  李传波;  左玉华;  罗丽萍;  成步文;  于金中;  王启明
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偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-05-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王书荣;  王圩;  刘志宏;  张瑞英;  朱洪亮;  王鲁蜂
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渐变带隙的铟镓砷材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王书荣;  王圩;  朱洪亮;  张瑞英;  边静
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  An JM;  Li J;  Xia JL;  Gao DS;  Wu YD;  Li JG;  Wang HJ;  Hu XW;  An, JM, Inner Mongolian Univ, Dept Phys, Hohhot 010021, Peoples R China. 电子邮箱地址: junming@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu FQ;  Shao Y;  Huang XQ;  Wang ZG;  Liu, FQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fqliu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang LG;  Yang W;  Chang K;  Chan KS;  Chang, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, NLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: kchang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li RY;  Wang ZG;  Xu B;  Jin P;  Guo X;  Chen M;  Li, RY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ryli@red.semi.ac.cn
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