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| 制作半导体台面侧向电流限制结构的技术 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 1997-05-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王圩; 王志杰; 张济志; 朱洪亮
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| 砷化镓材料、器件与电路 成果
1997
主要完成人: 姚林生; 王占国; 夏冠群; 李爱珍; 孔梅影
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砷化镓 |
| 长波长分布反馈激光器 成果
1997
主要完成人: 王圩; 张静媛; 朱洪亮; 张济志; 汪孝杰
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分布反馈激光器 |
| 1.48 微米掺铒光纤放大器泵浦 成果
1997
主要完成人: 彭怀德; 刘德钧; 阎莉; 马骁宇; 王仲明
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掺铒 |
| 二次离子质谱分析的应用基础研究 成果
1997
主要完成人: 王佑祥; 查良镇; 姜志雄; 陈春华
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离子质谱 |
| The enhancement of diffusion by strain of InAs quantum dots in a GaAs matrix 会议论文
PHYSICS OF LOW-DIMENSIONAL STRUCTURES, 12, LINCOLN, NEBRASKA, JUL 08-11, 1997
作者: Wang ZM; Feng SL; Lu ZD; Zhao Q; Yang XP; Chen ZG; Xu ZY; Zheng HZ; Wang ZM Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Growth Interdiffusion Islands Scale |
| Influence of interdot electronic coupling on photoluminescence spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 会议论文
PHYSICS OF LOW-DIMENSIONAL STRUCTURES, 12, LINCOLN, NEBRASKA, JUL 08-11, 1997
作者: Wang ZM; Feng SL; Yang XP; Deng YM; Lu ZD; Xu ZY; Chen ZG; Zheng HZ; Han PD ; Wang FL; Duan XF; Wang ZM Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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Gaas Growth |
| Material transport in self-assembled InAs/GaAs quantum dot ensemble 会议论文
PHYSICS OF LOW-DIMENSIONAL STRUCTURES, 12, LINCOLN, NEBRASKA, JUL 08-11, 1997
作者: Wang ZM; Feng SL; Yang XP; Lu ZD; Xu ZY; Chen ZG; Zheng HZ; Wang FL; Gao M; Han PD; Duan XF; Wang ZM Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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Growth Transition Gaas |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Lu LW; Ge WK; Sou IK; Wang Y; Wang J; Ma ZH; Chen WS; Wong GKL; Lu LW HONG KONG UNIV SCI & TECHNOLDEPT PHYSCLEAR WATER BAYKOWLOONHONG KONG.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang ZM; Feng SL; Lu ZD; Zhao Q; Yang XP; Chen ZG; Xu ZY; Zheng HZ; Wang ZM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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