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大功率半导体激光器波长稳定研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  赵懿昊
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宽条dfb激光器  波长漂移系数  体全息光栅  耦合强度  内置光栅  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵懿昊;  王俊;  王翠鸾;  刘素平;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  曾凡平;  韩培德;  高利朋;  冉启江;  毛雪;  赵春华;  米艳红
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Z;  Zhang R;  Xie ZL;  Liu B;  Xiu XQ;  Li Y;  Fu DY;  Lu H;  Chen P;  Han P;  Zheng YD;  Tang CG;  Chen YH;  Wang ZG;  Wang H;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Zhao DG;  Liu ZS;  Wang YT;  Zhang SM;  Yang H;  Zhang Z Nanjing Univ Jiangsu Prov Key Lab Adv Photon & Elect Mat Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address: rzhang@nju.edu.cn
Adobe PDF(197Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1499/430  |  提交时间:2010/03/08
砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵超;  徐波;  陈涌海;  金鹏;  王占国
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一种SiGe弛豫衬底材料及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵雷;  左玉华;  王启明
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一种硅基电光材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵雷;  左玉华;  王启明
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具有平顶响应的窄带热光可调谐法布里-珀罗滤波器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  左玉华;  蔡晓;  赵雷;  时文华;  成步文;  余金中;  王启明
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砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  韩勤;  张石勇;  吴东海;  赵欢;  杨晓红;  彭红玲;  周志强;  熊永华;  吴荣汉
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半导体材料残余应力的测试装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  赵玲慧;  曾一平;  李成基
Adobe PDF(528Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1188/207  |  提交时间:2009/06/11