×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [7]
作者
文献类型
会议论文 [7]
发表日期
2008 [1]
2006 [1]
2004 [1]
2003 [1]
2002 [1]
2000 [1]
更多...
语种
英语 [7]
出处
2004 7TH I... [1]
2008 3RD I... [1]
FERROELECT... [1]
ICO20 MATE... [1]
JOURNAL OF... [1]
QUANTUM CO... [1]
更多...
资助项目
收录类别
CPCI-S [7]
资助机构
Chinese In... [1]
Chinese Va... [1]
IEEE.; Sta... [1]
Int Commis... [1]
Mat Res So... [1]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
限定条件
收录类别:CPCI\-S
文献类型:会议论文
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
Fracture properties of silicon carbide thin films charcterized by bulge test of long membranes
会议论文
2008 3RD IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS, Sanya, PEOPLES R CHINA, JAN 06-09, 2008
作者:
Zhou, W
;
Yang, JL
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Yang, FH
;
Li, JM
;
Zhou, W, CAS, Inst Semicond, Beijing 100864, Peoples R China.
Adobe PDF(511Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:2239/511
  |  
提交时间:2010/03/09
Bulge Test Fracture Property
Silicon Carbide Thin Films
Weibull Distribution Function
Optical and structural properties of ZnO films grown on Si(100) substrates by MOCVD - art. no. 60290G
会议论文
ICO20 MATERIALS AND NANOSTRUCTURES丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:
Shen, WJ
;
Duan, Y
;
Wang, J
;
Wang, QY
;
Zeng, YP
;
Shen, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(402Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1790/615
  |  
提交时间:2010/03/29
Zno
Mocvd
Thermal Annealing
Photoluminescence
X-ray Diffraction
Atomic Force Microscopy
Pulsed-laser Deposition
Thin-films
Photoluminescence
Mechanisms
Epitaxy
Cvd
Si
Hetero-epitaxial growth of ZnO films on silicon by low-pressure metal organic chemical vapor deposition
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Wang, QY
;
Shen, WJ
;
Wang, J
;
Wang, JH
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Wang, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(175Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1374/210
  |  
提交时间:2010/03/29
Ultraviolet-laser Emission
Thin-films
Zinc-oxide
Room-temperature
Microstructure of the silicon film prepared near the phase transition regime from amorphous to nanocrystalline
会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:
Zhang SB
;
Liao XB
;
Xu YY
;
Hu ZH
;
Zeng XB
;
Diao HW
;
Luo MC
;
Kong G
;
Zhang SB Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Condensed State Phys State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(93Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1793/428
  |  
提交时间:2010/10/29
Polymorphous Silicon
Light-scattering
Thin-films
Si
Microcrystallinity
Absorption
States
Dielectric properties of Bi2Ti2O7 films grown on Si(100) substrate by APMOCVD
会议论文
FERROELECTRICS, 271, MADRID, SPAIN, SEP 03-07, 2001
作者:
Wang H
;
Shang SX
;
Yao WF
;
Hou Y
;
Xu XH
;
Wang D
;
Wang M
;
Yu JZ
;
Wang H Shandong Univ State Key Lab Crystal Mat Jinan 250100 Peoples R China.
Adobe PDF(1640Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1135/178
  |  
提交时间:2010/11/15
Bi2ti2o7
Thin Film
Mocvd
(111) Orientation
Chemical-vapor-deposition
Crystal Thin-films
The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:
Sun XL
;
Wang YY
;
Yang H
;
Li JB
;
Zheng LX
;
Xu DP
;
Wang ZG
;
Sun XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Res Ctr Optoelect Technol Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(206Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1666/311
  |  
提交时间:2010/11/15
Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Cubic Gan
Hexagonal Phase Content
4-circle X-ray Double Crystal Diffraction
Molecular-beam Epitaxy
Gallium Nitride
Thin-films
Silicon
Gaas
Formation and magnetic properties of Fe16N2 films prepared by ion-beam-assisted deposition
会议论文
JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 177, CAIRNS, AUSTRALIA, JUL 27-AUG 01, 1997
作者:
Yao ZY
;
Jiang H
;
Liu ZK
;
Huang DD
;
Qin FG
;
Zhu SC
;
Sun YX
;
Zhu SC Peking Univ Dept Phys Beijing 100871 Peoples R China.
Adobe PDF(166Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1470/281
  |  
提交时间:2010/11/15
Thin Films
Saturation Magnetization
Uniaxial Anisotropy