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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体材料科... [12]
作者
张兴旺 [1]
文献类型
专利 [6]
期刊论文 [6]
发表日期
2014 [1]
2013 [1]
2012 [1]
2011 [1]
2010 [2]
语种
英语 [6]
出处
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Kong, L.
;
Wang, H. L.
;
Bajek, D.
;
White, S. E.
;
Forrest, A. F.
;
Wang, X. L.
;
Cui, B. F.
;
Pan, J. Q.
;
Ding, Y.
;
Cataluna, M. A.
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浏览/下载:432/104
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提交时间:2015/03/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang H, Mi J, Zhou X, Meriggi L, Steer M, Cui B, Chen W, Pan J, Ding Y.
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浏览/下载:817/203
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提交时间:2014/03/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu D (Xu Dong)
;
Jiang B (Jiang Bin)
;
Jiao L (Jiao Lei)
;
Cui FD (Cui Feng-dan)
;
Xu HX (Xu Hong-xing)
;
Yang YT (Yang Yong-tao)
;
Yu RH (Yu Ren-hong)
;
Cheng XN (Cheng Xiao-nong)
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浏览/下载:860/194
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提交时间:2013/03/26
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang SG
;
Zhang XW
;
Yin ZG
;
Wang JX
;
Dong JJ
;
Wang ZG
;
Qu S
;
Cui B
;
Wowchak AM
;
Dabiran AM
;
Chow PP
;
Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1379/380
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
You JB (You J. B.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Zhang SG (Zhang S. G.)
;
Wang JX (Wang J. X.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Tan HR (Tan H. R.)
;
Zhang WJ (Zhang W. J.)
;
Chu PK (Chu P. K.)
;
Cui B (Cui B.)
;
Wowchak AM (Wowchak A. M.)
;
Dabiran AM (Dabiran A. M.)
;
Chow PP (Chow P. P.)
;
Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn
;
paul.chu@cityu.edu.hk
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浏览/下载:1391/453
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提交时间:2010/06/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu B
;
Zhang Z
;
Zhang R
;
Fu DY
;
Xie ZL
;
Lu H
;
Schaff WJ
;
Song LH
;
Cui YC
;
Hua XM
;
Han P
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
;
Zhang, R, Nanjing Univ, Dept Phys, Jiangsu Prov Key Lab Adv Photon & Elect Mat, Nanjing Natl Lab Microstruct, Nanjing 210093, Peoples R China. 电子邮箱地址: rzhang@nju.edu.cn
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浏览/下载:1437/336
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提交时间:2010/04/28
基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02
发明人:
康贺
;
王晓亮
;
肖红领
;
王翠梅
;
冯春
;
姜丽娟
;
殷海波
;
崔磊
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浏览/下载:773/108
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提交时间:2014/11/24
密封传动装置
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07
发明人:
王晓亮
;
崔磊
;
肖红领
;
殷海波
;
冯春
;
姜丽娟
;
陈竑
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浏览/下载:786/108
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提交时间:2014/11/24
氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
王晓亮
;
李巍
;
李百泉
;
肖红领
;
殷海波
;
冯春
;
姜丽娟
;
邱爱芹
;
王翠梅
;
介芳
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浏览/下载:481/0
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提交时间:2016/09/28
一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
王晓亮
;
李巍
;
肖红领
;
冯春
;
姜丽娟
;
殷海波
;
王翠梅
;
李百泉
Adobe PDF(414Kb)
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浏览/下载:507/2
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提交时间:2016/09/28