SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共52条,第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  R Q Wan ;   T Li ;   Z Q Liu ;   X Y Yi ;   J X Wang ;   J H Li ;   W H Zhu ;   J M Li ;   L C Wang
Adobe PDF(814Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:53/0  |  提交时间:2020/08/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  K.C. Wang;  G.D.Yuan n;  R.W.Wu;  H.X.Lu;  Z.Q.Liu;  T.B.Wei;  J.X.Wang;  J.M.Li;  W.J.Zhang
Adobe PDF(1753Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:233/6  |  提交时间:2017/03/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  L. Wang;  G. D. Yuan;  R. F. Duan;  F. Huang;  T. B. Wei;  Z. Q. Liu;  J. X. Wang;  J. M. Li
Adobe PDF(5568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:236/2  |  提交时间:2017/03/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  R. W. Wu;  G. D. Yuan;  K. C. Wang;  T. B. Wei;  Z. Q. Liu;  G. H. Wang;  J. X. Wang;  J. M. Li
Adobe PDF(8305Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:258/0  |  提交时间:2017/03/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨其长;  徐志刚;  陈弘达;  泮进明;  魏灵玲;  刘文科;  周泓;  刘晓英;  宋昌斌
Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1876/730  |  提交时间:2012/07/17
氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102208502A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  詹腾;  汪炼成;  郭恩卿;  刘志强;  伊晓燕;  王国宏
Adobe PDF(278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1468/211  |  提交时间:2012/09/09
栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534622.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘志强;  郭恩卿;  伊晓燕;  汪炼成;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1555/236  |  提交时间:2011/08/31
栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534772.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘志强;  郭恩卿;  伊晓燕;  汪炼成;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(311Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1447/248  |  提交时间:2011/08/31
减少激光剥离损伤的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910087351.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  段瑞飞;  王良臣;  刘志强;  季安;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(259Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1355/138  |  提交时间:2011/08/31
自支撑氮化镓衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208340A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  孙波;  伊晓燕;  刘志强;  汪炼成;  郭恩卿;  王国宏
Adobe PDF(219Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1781/285  |  提交时间:2012/09/09