×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研... [17]
中科院半导体材料科学... [3]
作者
陈剑燕 [1]
陈平 [1]
金鹏 [1]
李路 [1]
文献类型
会议论文 [20]
发表日期
2011 [3]
2009 [2]
2008 [1]
2007 [2]
2006 [3]
2004 [1]
更多...
语种
英语 [20]
出处
MATERIALS ... [2]
Silicon Ca... [2]
3RD INTERN... [1]
FOURTH INT... [1]
INTEGRATED... [1]
INTEGRATED... [1]
更多...
资助项目
收录类别
CPCI-S [12]
CPCI(ISTP) [5]
其他 [3]
资助机构
II VI Inc.... [2]
Amer Vacuu... [1]
China Opt ... [1]
Chinese Ma... [1]
Chinese Ph... [1]
IEEE, Lase... [1]
更多...
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共20条,第1-10条
帮助
限定条件
文献类型:会议论文
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
Single-mode operation of terahertz quantum cascade lasers
会议论文
Proceedings of SPIE 卷: 8195 文献号: 81950G, Beijing, PEOPLES R CHINA, 2011
作者:
Chen JY (Chen J. Y.)
;
Liu JQ (Liu J. Q.)
;
Liu FQ (Liu F. Q.)
;
Li L (Li L.)
;
Wang LJ (Wang L. J.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
Adobe PDF(1326Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1883/377
  |  
提交时间:2011/12/13
Terahertz quantum cascade lasers operating above liquid nitrogen temperature
会议论文
3RD INTERNATIONAL PHOTONICS AND OPTOELECTRONICS MEETINGS (POEM 2010), 276: Art. No. 012216 2011, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 02-05, 2010
作者:
Liu JQ
;
Chen JY
;
Li L
;
Liu FQ
;
Wang LJ
;
Wang ZG
Adobe PDF(978Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:2670/501
  |  
提交时间:2011/07/15
Surface Emitting Quantum Cascade Lasers for Sensing and Medical Diagnosis
会议论文
Proceedings of SPIE 卷: 8192 文献号: 81921P, Beijing, PEOPLES R CHINA, 2011
作者:
Liu JQ (Liu Jun-qi)
;
Chen JY (Chen Jian-yan)
;
Liu WF (Liu Wan-feng)
;
Guo WH (Guo Wan-hong)
;
Jiang YC (Jiang Yu-chao)
;
Liu FQ (Liu Feng-qi)
;
Li L (Li Lu)
;
Wang LJ (Wang Li-jun)
;
Wang ZG (Wang Zhan-guo)
Adobe PDF(10693Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1780/295
  |  
提交时间:2011/12/13
Growth behavior of AlInGaN films
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Sendai, JAPAN, MAY 21-24, 2008
作者:
Shang JZ
;
Zhang BP
;
Mao MH
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Fang ZL
;
Liu BL
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Kusakabe K
;
Ohkawa K
;
Zhang, BP, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China.
Adobe PDF(813Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:2368/416
  |  
提交时间:2010/03/09
Scanning Electron Microscope
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(246Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:2021/307
  |  
提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
Buffer Layer
Lpcvd
Pockels effect in GaN/Al-x,Gal(1-x)N superlattice with different quantum structures - art. no. 69841G
会议论文
THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS,SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, SEP 25-28, 2007
作者:
Chen P
;
Lib SP
;
Tu XG
;
Zuo YH
;
Zhao L
;
Chen SW
;
Li JC
;
Lin W
;
Chen HY
;
Liu DY
;
Kang JY
;
Yu YD
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(386Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1862/355
  |  
提交时间:2010/03/09
Pockels Effect
Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(1318Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1470/197
  |  
提交时间:2010/03/29
Micro-raman
4h-sic
Defects
3c-inclusions
Triangle-shaped Inclusion
Epitaxial Layers
Silicon-carbide
Homoepitaxial growth of 4H-SiC multi-epilayers and its application to UV detection
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Ning, J (Ning, J.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(908Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1265/198
  |  
提交时间:2010/03/29
Homoepitaxy
4h-sic
Multi-epilayer
Uv Detection
p(+)-pi-n(-)
Ultraviolet Photodetector
Epitaxial-growth
Research on nitrogen implantation energy dependence of the properties of SIMON materials
会议论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, Pacific Grove, CA, SEP 05-10, 2004
作者:
Zhang EX
;
Sun JY
;
Chen J
;
Chen M
;
Zhang ZX
;
Li N
;
Zhang GQ
;
Wang X
;
Zhang, EX, Chinese Acad Sci, Ion Beam Lab, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Shanghai 20050, Peoples R China. 电子邮箱地址: yqfzhexia@mail.sim.ac.cn
Adobe PDF(118Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1769/293
  |  
提交时间:2010/03/29
Nitrogen
Defect influence on luminescence efficiency of GaN-based LEDs
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Li SP (Li Shuping)
;
Fang ZL (Fang Zhilai)
;
Chen HY (Chen Hangyang)
;
Li JC (Li Jinchai)
;
Chen XH (Chen Xiaohong)
;
Yuan XL (Yuan Xiaoli)
;
Sekiguchi T (Sekiguchi Takashi)
;
Wang QM (Wang Qiming)
;
Kang JY (Kang Junyong)
;
Kang, JY, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: jykang@xmu.edu.cn
Adobe PDF(142Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1530/288
  |  
提交时间:2010/03/29
Defects