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| 电学测试的汞探针装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12 发明人: 纪 刚; 孙国胜; 宁 瑾; 刘兴昉 ; 赵永梅; 王 雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽
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| 一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-02, 2010-08-12 发明人: 孙国胜; 王 雷; 赵万顺; 曾一平; 叶志仙; 刘兴昉![](/image/person.jpg)
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| 氧化硅上制备低阻碳化硅的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996 发明人: 赵永梅; 孙国胜; 宁 瑾; 王 亮; 刘兴昉 ; 赵万顺; 王 雷; 李晋闽; 曾一平
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| 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉 ; 李家业; 王雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平
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| 用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘兴昉 ; 孙国胜; 李晋闽; 赵永梅; 王雷; 赵万顺; 李家业; 曾一平
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| GaAs基单模面发射量子级联激光器结构及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘俊岐; 刘峰奇; 李路 ; 邵烨; 郭瑜; 梁平; 胡颖; 孙虹
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| 镓砷基量子级联激光器管芯单元结构及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘俊岐; 刘峰奇; 路秀真; 郭瑜; 梁平; 胡颖; 孙虹
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| n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 白一鸣; 陈诺夫; 梁平; 孙红; 胡颖; 王晓东
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| 偏心调焦的光纤转接器结构和光纤转接器调整方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓薇; 徐金生; 孙海东; 马骁宇; 方高瞻; 刘素平
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| 一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽
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